重磅发布！IGBT专利全景分析报告抢先看

来源：中国电力新闻网 时间：2021-02-09 09:28

　　党的十九届五中全会提出：“要坚持创新在我国现代化建设全局中的核心地位，把科技自立自强作为国家发展的战略支撑。”

　　?国家发展改革委在《关于扩大战略性新兴产业投资培育壮大新增长点增长极的指导意见》中明确提出“要加快IGBT等核心技术部件研发”。

　　?国家电网公司在2020年科技创新大会上提出“要着力增强原始创新能力，实现关键核心技术自主可控”，并在其发布的《新兴产业集群培育的指导意见》中进一步明确重点拓展IGBT等新兴业务。

　　由此可见：无论是国家层面、还是行业层面，都将IGBT领域技术创新放在了发展的核心地位。

　　一、什么是IGBT

　　绝缘栅双极型晶体管（Insulate Gate Bipolar Transistor，同城乐游戏大厅下载： IGBT）　是为解决金属—氧化物半　导体场效应晶体管在高压应用时的导通损耗与耐压水平之间的矛盾，由通用电气公司和美国无线电公司在1982年提出的一种新型结构器件。经过30　多年的发展，IGBT技术持续改进，实现了在功率变换领域的广泛应用。

　　作为智能电网、轨道交通、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域的技术热点，在较长一段时间内，IGBT核心技术都由国外相关机构和企业把持。近些年，中国在此领域虽取得了长足的进步，但也存在一些“卡脖子”技术和研究空白，需要重点开展科研攻关。　　

　　经过多年的发展，IGBT器件领域已经积累了大量的专利，专利信息是一种高度标准化的技术法律信息，无论是专利类别划分，还是文体结构及句法结构，都有相对可循的规律。对IGBT专利的全景分析既可以了解目前国内外对此领域的专利研究现状，也可以提升IGBT专利质量，激发创新能力，探究未来发展趋势，有利于企业制定发展策略。

　　二、《绝缘栅双极型晶体管（IGBT）专利全景分析报告》

　　由英大传媒集团中国电力百科网运营团队策划并牵头编制的第一款技术咨询研究报告——《绝缘栅双极型晶体管（IGBT）专利全景分析报告》，即将于2021年3月正式发布！报告由国网智能电网研究院等权威研究机构提供专家指导、中国电力百科网（www.ceppedu.com）、德温特创新平台（www.derwentinnovation.com）提供数据和工具支持。

责任编辑：周小博　 投稿邮箱：网上投稿